Micron, 3D DRAM 선회와 400단 G11 3D NAND 공개

메모리 미세화 한계를 돌파하기 위해 적층 기술을 축으로 로드맵을 전면 재편했다는 소식이에요.

Micron은 4F² DRAM 기술 개발을 중단하고 3D DRAM으로 개발 방향을 틀어 비트 밀도 개선을 추진하기로 했어요. 동시에 400단 이상 레이어와 42 Gb/mm2 비트 밀도를 적용해 5,400 MT/s 속도를 지원하는 차세대 G11 3D NAND를 선보이며 2027년 하반기 1-delta DRAM 밀도 개선 계획을 제시했어요.

기존 미세 공정의 비용 부담을 벗어나기 위해 D램과 낸드 전반에 걸쳐 고단수 적층 구조로 개발 무게중심을 옮긴 모습이에요.

급증하는 인공지능 연산 장비의 메모리 병목을 해소할 수 있는 물리적 구조 혁신에 집중하고 있어요.

3D 구조로 선회한 D램 연구와 신형 3D 낸드가 차세대 가속기 시장의 요구 성능을 충족할 수 있을지에 주목할 만해요.